机译:适用于恶劣辐射环境的新型垂直JFET功率器件
机译:1200 V常关和常开垂直沟道SiC功率JFET器件的比较
机译:恶劣辐射环境下辐射损伤对探测器和电子设备的影响
机译:用于HEV / EV的SiC功率器件和新型SiC垂直JFET
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:用于恶劣环境无线传感的表面声波设备
机译:一种用于恶劣辐射环境的新型垂直JFET功率器件
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长